儀器由四探針測(cè)試儀和薄膜電導(dǎo)率測(cè)量?jī)x兩分組成。具有測(cè)量精度、靈敏度、穩(wěn)定性好、測(cè)量范圍寬、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等點(diǎn)。儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能的測(cè)試。
四探針測(cè)試儀由主機(jī)、測(cè)試架等分組成。可以測(cè)量片狀、塊狀半導(dǎo)體材料的徑向和軸向電阻率，測(cè)量擴(kuò)散層的薄層電阻（亦稱(chēng)方塊電阻）、能材料暗電導(dǎo)和光電導(dǎo)及溫度的變化的性，還可以對(duì)金屬導(dǎo)體的低、中值電阻行測(cè)量。測(cè)試探頭采用寶石導(dǎo)向軸套和耐磨碳化鎢探針制成，故定位準(zhǔn)確、游移率小、壽命長(zhǎng)。
薄膜電導(dǎo)率測(cè)量?jī)x由樣品室、溫控系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、阻測(cè)量系統(tǒng)等分組成。
◆ 測(cè)量范圍：電阻測(cè)量范圍：1×106～1×1017Ω；
電阻率：0.001～200Ωcm；
電導(dǎo)率：0.005～1000s/cm；
◆ 可測(cè)晶片直徑： 200mmX200mm；
◆ 探針：碳化鎢或速鋼；探針間距：1±0.01mm；
◆ 針間緣電阻：≥1000MΩ；
機(jī)械游移率：≤0.3%；
◆ 本底真空度：≤10Pa，氣壓可控范圍：10～400Pa；
◆ 襯底加熱 溫度：室溫～200℃。